IXFN360N10T
标准包装 10
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HiPerFET ™
规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 180A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 505nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 36000pF @ 25V
功率 - 最大值 830W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
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